陶瓷覆銅基板作為電力模塊中半導體的電路材料，連接多個功率部件，提供所需的電氣、熱力、化學和機械功能，使半導體的熱量有效消散，并延長模塊的使用壽命。

  與DBC陶瓷基板相比，AMB陶瓷基板具有更高的結合強度和冷熱循環特性。目前，隨著電力電子技術的高速發展，高鐵上的大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關鍵材料——陶瓷覆銅板形成巨大需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應用。 

  威斯派爾采用活性金屬焊接工藝制備出了氮化硅陶瓷覆銅基板，其耐溫度循環（-40~125℃）達到5000次，可承載大于300A的電流，已用于電動汽車、航空航天等領域。該產品采用活性金屬焊接工藝將多層無氧銅與氮化硅陶瓷鍵合，同時采用銅柱焊接實現垂直互聯，對IGBT模塊及SiC模塊小型化、高可靠性等要求有較好的促進作用。另外，在大功率電力半導體模塊、高頻開關、風力發電、新能源汽車、動力機車、航空航天等應用領域取得了進展。

  AMB基板是靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下進行化學反應來實現結合，因此其結合強度更高，可靠性更好。但是由于該方法成本較高、合適的焊料較少、焊料對于焊接的可靠性影響較大，只有少數美日中幾家公司掌握了核心的高可靠活性金屬焊接技術。

  更多陶瓷基板的工藝以及制作歡迎咨詢南通威斯派爾半導體有限公司，謝謝！