根據陶瓷材質的不同，目前成熟應用的AMB陶瓷基板可分為：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。

AMB氧化鋁基板  
基于氧化鋁板材來源廣泛、成本低，是當前性價比的AMB陶瓷基板，其工藝也為成熟。但由于氧化鋁陶瓷的熱導率低、散熱能力有限，AMB氧化鋁基板多用于功率密度不高且對可靠性沒有嚴格要求的領域。

AMB氮化鋁基板
AMB基板具有較高的散熱能力，從而更適用于一些高功率、大電流的工作環境。但是由于機械強度相對較低，氮化鋁AMB覆銅基板的高低溫循環沖擊壽命有限，從而限制了其應用范圍。氮化鋁AMB基板具有較高的散熱能力，從而更適用于一些高功率、大電流的工作環境。但是由于機械強度相對較低，氮化鋁AMB覆銅基板的高低溫循環沖擊壽命有限，從而限制了其應用范圍。

AMB氮化硅基板

氮化硅陶瓷的熱膨脹系數（2.4ppm/K）較小，與硅芯片（4ppm/K）接近；AMB氮化硅基板具有較高的熱導率（>90W/mK）。AMB-Si3N4基板結合的機械性能具有優異的耐高溫性能、散熱特性和超高的功率密度。
對于對高可靠性、散熱以及局部放電有要求的汽車、風力渦輪機、牽引系統和高壓直流傳動裝置等來說，AMB氮化硅基板可謂其的基板材料。此外，載流能力較高，而且傳熱性也非常好。