相較于傳統的Si器件，SiC器件擁有諸多益處。比如工作溫度高、熱導率高、硬度高、電子飽和漂移速度高、擊穿電場高、電流密度高等等。諸多的優點讓SiC器件可以工作在更高溫度、更高頻率、更高電壓和更高電流等使用環境更為惡劣的情況。因此，受到了電力公司、汽車廠商及電機廠商等的密切關注。

汽車產業，尤其是電動汽車產業，是SiC器件發展的重要助力，基于SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術正在進入系統的關鍵部分——牽引逆變器。 牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。這項技術在特斯拉的部分車型中已經得到了實踐，證明是可行的。

有商機便有市場，進而便有從業者。碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC開發創新的碳化硅二極管和場效應晶體管（FET）等功率半導體器件，為電動汽車充電系統、AC-DC和DC-DC電源、變速馬達驅動器和太陽能光伏逆變器等應用提供業界最佳的碳化硅效率和高溫性能。

UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件
美國新澤西州普林斯頓市當地時間12月3日，UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET器件。新產品基于高效的共源共柵配置，可為設計人員提供非常快的開關速度和較高的功率，并且其封裝能夠滿足高功率應用的散熱要求。

Kelvin封裝可以避免柵極振鈴和錯誤觸發，否則需要降低開關速度以管理3引線封裝帶來的較大共源極電感。采用4引腳的Kelvin連接封裝，使器件具有175°C的最高工作溫度、出色的反向恢復、低柵極電荷以及低達2倍的開關損耗。

電動汽車（EV）充電系統、電信和服務器電源等應用領域的設計人員在進行圖騰柱（Totem Pole）PFC級、LLC和相移全橋轉換器等設計時，可以采用全新的UF3C系列產品實現更高的開關速度、效率、易用性和功率密度。

與其他寬帶隙技術相比，SiC共源共柵器件能夠提供標準的12V柵極驅動，并具有確定的雪崩額定值（100％經過生產測試）。UF3C FAST系列中的4端子封裝產品能夠通過簡單的螺釘或夾具安裝，具有極低的結至外殼熱阻，在給定功率或更高功率運行時，只有較低的溫度上升，能夠充分利用SiC的較高結溫能力。

UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示："新增加的UF3C FAST系列共源共柵器件采用4引腳TO-247封裝，即使在更高的開關頻率下也非常容易使用，它們在高功率設計中能夠實現最高效率和出色的散熱性能。"

UnitedSiC的SiC器件能夠為許多現有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供‘直接更換’替代解決方案，而無需改變柵極驅動電路。

Snubber電路的妙用
UnitedSiC的UF3C FAST新品能夠實現非常快的開關速度和較高的功率，得益于采用了緩沖電路。緩沖電路（Snubber Circuit）又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的應用技術中，起著更重要的作用。

Snubber電路的基本工作原理是利用電感電流不能突變的特性抑制器件的電流上升率，利用電容電壓不能突變的特性抑制器件的電壓上升率。圖示以GTO為例的一種簡單的緩沖電路。其中L與GTO串聯,以抑制GTO導通時的電流上升率dI/dt,電容C和二極管D組成關斷吸收電路，抑制當GTO關斷時端電壓的上升率dV/dt，其中電阻R為電容C提供了放電通路。緩沖電路有多種形式，以適用于不同的器件和不同的電路。

正是采用了Snubber電路，UnitedSiC的SiC器件實現了性能提高。UnitedSiC應用工程師Mike Zhu表示："隨著開關dV / dt的增加，緩沖器損耗增加，但也有可能使用較小的緩沖器進行補償。實際上，切換Eon + Eoff損耗增加3-5％就足以顯著增加改善開關波形。在標準TO封裝中實現快速切換，SiC FETS要求要么降低FET的速度，要么使用RC緩沖器來降低電壓過沖和振鈴。 緩沖器Rs損耗遠低于傳統的f.CV，通過非常小的緩沖電容值可以幫助管理電壓過沖，因為Unitedsic FET的低Coss值導致緩沖器損耗小，允許使用常規表面貼裝元件，即使每個FET切換50A，800V也是如此。 使用帶有RC緩沖器的United Sic快速器件（UF3C系列）可以在最大限度地降低開關損耗。同時管理關斷電壓尖峰和振鈴，并且明顯優于具有外部柵極電阻的慢速器件。"